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AFT26H250W03SR6备选型号: IRLML6302TRPBF
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
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- 终止次数
- 终端
- 电阻
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- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 65V 0.7A 5-Pin NI-1230S T/R10 WeeksNI-1230-4S65VTape & Reel (TR)2006Obsolete3 (168 Hours)EAR998541.29.00.402.5GHz700mALDMOS14.1dB50W28VROHS3 Compliant--------------------------------------------
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-2312 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3540mW TaTape & Reel (TR)2007活跃1 (Unlimited)EAR99-------ROHS3 CompliantTin表面贴装表面贴装3SILICONMicro31.5V @ 250μA-55°C~150°C TJHEXFET®e33SMD/SMT600mOhm逻辑电平兼容-20VDUAL鸥翼-620mASingle增强型MOSFET540mW13 nsP-ChannelSWITCHING600m Ω @ 610mA, 4.5V97pF @ 15V3.6nC @ 4.45V18ns±12V22 ns-780mA-1.5V12V0.78A-20V-20V-1.5 V20V1.397mm1.016mm3.0226mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDV305N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23 | 对比 |
 | FDY102PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3 | 对比 |
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 | 对比 |
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