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首页 全部分类 AFT27S010NT1 vs FDS9926A

AFT27S010NT1备选型号: FDS9926A

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  • 终端形式
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    AFT27S010NT1
    NXP USA Inc.
    FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
    10 Weeks
    PLD-1.5W
    YES
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.40
    260
    2.17GHz
    40
    Single
    90mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    21.7dB
    1.26W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9926A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
    10 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    2
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    187mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    yes
    8
    SMD/SMT
    20V
    2W
    鸥翼
    6.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    8 ns
    900mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    650pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    9ns
    4 ns
    6.5A
    1V
    10V
    0.03Ohm
    20V
    20V
    逻辑电平门
    1 V
    5mm
    1.5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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