NXP USA Inc. AFT27S010NT1
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AFT27S010NT1
1786-AFT27S010NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5W
大陆
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FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
--最小包装量--
AFT27S010NT1详情
NXP USA Inc. AFT27S010NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5W
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
65V
Usage Level
Automotive grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.40
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
2.17GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
配置
Single
测试电流
90mA
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
21.7dB
功率 - 输出
1.26W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AFT27S010NT1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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