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首页 全部分类 ALD1103SBL vs IRF7210PBF

ALD1103SBL备选型号: IRF7210PBF

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  • 最高工作温度
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  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Advanced Linear Devices Inc.
    ALD1103SBL
    Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    14
    14-SOIC
    40mA 16mA
    0°C~70°C TJ
    Tube
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    70°C
    0°C
    500mW
    500mW
    500mW
    2 N and 2 P-Channel Matched Pair
    75Ohm @ 5V
    1V @ 10μA
    10pF @ 5V
    10.6V
    16mA
    13.2V
    -12V
    10pF
    Standard
    270Ohm
    75 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7210PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -
    2.5W
    -
    P-Channel
    7mOhm @ 16A, 4.5V
    -
    17179pF @ 10V
    12V
    -16A
    12V
    -12V
    17.179nF
    -
    7mOhm
    7 mΩ
    符合RoHS标准
    600mV @ 500μA
    HEXFET®
    SMD/SMT
    7mOhm
    50 ns
    212nC @ 5V
    3ns
    ±12V
    30 ns
    600mV
    12V
    247 ns
    600 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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