ALD210808PCL备选型号: ULN2004A

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 触点镀层
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 极性
  • 配置
  • 输出电流
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    16
    16-PDIP
    1.025005g
    80mA
    0°C~70°C TJ
    Tube
    EPAD®, Zero Threshold™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    70°C
    0°C
    500mW
    4
    10 ns
    500mW
    4 N-Channel, Matched Pair
    20mV @ 10μA
    10.6V
    80mA
    10.6V
    10V
    逻辑电平门
    25Ohm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS ULN2004A. Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 500 mA, 1000 hFE, DIP
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    16
    -
    1.627801g
    50V
    -40°C~85°C TA
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    7
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Gold
    SILICON
    1.1V
    e4
    16
    EAR99
    逻辑电平兼容
    50V
    DUAL
    500mA
    ULN2004
    16
    50V
    NPN
    COMPLEX
    500mA
    SWITCHING
    7 NPN Darlington
    50V
    500mA
    1000 @ 350mA 2V
    50μA
    1.6V @ 500μA, 350mA
    1.6 V
    4.59mm
    20mm
    7.1mm
    无SVHC
    无铅
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