ALD210808PCL备选型号: ULN2065B

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
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  • 基本部件号
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  • 输出电压
  • 极性
  • 输出电流
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 输入特性
  • 接口IC类型
  • 驱动程序位数
  • 接通时间
  • 关断时间
  • 连续集电极电流
  • 内置保护器
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    16
    16-PDIP
    1.025005g
    80mA
    0°C~70°C TJ
    Tube
    EPAD®, Zero Threshold™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    70°C
    0°C
    500mW
    4
    10 ns
    500mW
    4 N-Channel, Matched Pair
    20mV @ 10μA
    10.6V
    80mA
    10.6V
    10V
    逻辑电平门
    25Ohm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS ULN2065B Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 80 V, 4.3 W, 1.5 A, DIP
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    16-PowerDIP (0.300, 7.62mm)
    16
    -
    1.627801g
    80V
    -20°C~85°C TA
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    4.3W
    4
    -
    1W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    Tin
    1.5V
    e3
    16
    EAR99
    50V
    DUAL
    4
    1.5A
    ULN206
    16
    80V
    NPN
    1.75A
    4 NPN Darlington (Quad)
    80V
    1.75A
    1.5V @ 2.25mA, 1.5A
    STANDARD
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    4
    1 µs
    1.5 µs
    1.5A
    TRANSIENT
    4.59mm
    20mm
    7.1mm
    无SVHC
    无铅
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