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AO3442备选型号: IRLML2060TRPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 底架
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 系列
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 1A SOT2316 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装SILICON12.9V @ 250μA-55°C~150°C TJDigi-Reel®2009e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)8541.29.00.95DUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING630m Ω @ 1A, 10V100pF @ 50V6nC @ 10V100V±20V1A1A0.63Ohm100VROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-312 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装SILICON12.5V @ 25μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)-DUAL鸥翼----增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING480m Ω @ 1.2A, 10V64pF @ 25V0.67nC @ 4.5V-±16V1.2A---ROHS3 Compliant无铅3HEXFET®480MOhmSingle1.25W4.9 ns3.8ns2.8 ns2.5V16V60V4.8A21 ns3.0226mm1.016mm1.397mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMV185XN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB | 对比 |
| IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 对比 |
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 | 对比 |
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