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AO4260备选型号: DMNH6022SSDQ-13
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC16 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)818A Ta2.4V @ 250μA-55°C~150°C TJDigi-Reel®2011Obsolete1 (Unlimited)N-Channel5.2m Ω @ 18A, 10V4940pF @ 30V100nC @ 10V60V±20V18A符合RoHS标准-----------------------
MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-7.1A 22.6A--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)2 N-Channel (Dual)27m Ω @ 5A, 10V2127pF @ 25V32nC @ 30V60V-22.6AROHS3 CompliantSILICONAutomotive, AEC-Q101e38EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.5W鸥翼未说明未说明R-PDSO-G8SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING3V @ 250μA7.1A0.03Ohm45A60V24 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT6010LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2 | 对比 |
| DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 | 对比 |
| DMNH6022SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO | 对比 |
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