AO4411备选型号: FDS6982AS

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 8A, 10V
    2.4V @ 250μA
    760pF @ 15V
    16nC @ 10V
    30V
    ±20V
    8A
    8A
    0.032Ohm
    30V
    135 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6.3A 8.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    28m Ω @ 6.3A, 10V
    3V @ 250μA
    610pF @ 10V
    15nC @ 10V
    -
    -
    8.6A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    187mg
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    28MOhm
    30V
    2W
    8.6A
    2
    2W
    12 ns
    900mW
    7ns
    3 ns
    1.9V
    20V
    30V
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    19 ns
    150°C
    逻辑电平门
    1.4 V
    64ns
    34ns
    1.75mm
    5mm
    3.99mm
    无SVHC
    无铅
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