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AO4411备选型号: FDS8884
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC16 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON8A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2005不用于新设计1 (Unlimited)8EAR99DUAL鸥翼8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING32m Ω @ 8A, 10V2.4V @ 250μA760pF @ 15V16nC @ 10V30V±20V8A8A0.032Ohm30V135 pFROHS3 Compliant--------------------------
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON8.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006活跃1 (Unlimited)8EAR99DUAL鸥翼---增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 8.5A, 10V2.5V @ 250μA635pF @ 15V13nC @ 10V-±20V8.5A-0.023Ohm--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 6 days ago)Tin130mgPowerTrench®e4yesNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)快速切换30V8.5ASingle2.5W5 ns9ns21 ns1.7V20V30V40A32 mJ1.5mm5mm4mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6982AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V | 对比 |
 | DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD | 对比 |
| FDS6900AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET Dual NCh PowerTrench | 对比 |
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