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首页 全部分类 AO4447A vs IRF8113TRPBF

AO4447A备选型号: IRF8113TRPBF

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 行间距
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AO4447A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    1
    1.6V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    3.1W
    P-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 17A, 10V
    5500pF @ 15V
    105nC @ 10V
    30V
    ±20V
    17A
    20V
    0.007Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    17.2A Ta
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    N-Channel
    -
    5.6m Ω @ 17.2A, 10V
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    17.2A
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    SMD/SMT
    5.6MOhm
    30V
    16.6A
    6.3 mm
    13 ns
    8.9ns
    3.5 ns
    2.2V
    30V
    30V
    2.2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
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FDS8874 FDS8874 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 对比