Infineon Technologies IRF8113TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.6MOhm

电压 - 额定直流

30V

额定电流

16.6A

配置

Single

行间距

6.3 mm

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 17.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2910pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 4.5V

上升时间

8.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.5 ns

连续放电电流(ID)

17.2A

阈值电压

2.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

栅源电压

2.2 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free