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AO4466备选型号: IRF7904PBF
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装8SILICON2.6V @ 250μA3.1W Ta2013Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)8DUAL鸥翼不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.1WN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 10A, 10V448pF @ 15V8.6nC @ 10V30V±20V10A20V0.023Ohm50A30VROHS3 Compliant------------------
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装8--7.6A 11A2006Tube-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)------2W2 N-Channel (Dual)-16.2m Ω @ 7.6A, 10V910pF @ 15V11nC @ 4.5V--11A20V---符合RoHS标准HEXFET®30V2W7.6AIRF7904PBFDual1.4W 2W2.25V @ 25μA2.25V30V17 ns逻辑电平门1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无Exempt- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3036SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO | 对比 |
 | FDS4435BZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC | 对比 |
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