Infineon Technologies IRF7904PBF
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IRF7904PBF
1211-IRF7904PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
1最小包装量--
IRF7904PBF详情
Infineon Technologies IRF7904PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.6A 11A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
2W
额定电流
7.6A
基本部件号
IRF7904PBF
元素配置
Dual
功率耗散
2W
功率 - 最大
1.4W 2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
16.2m Ω @ 7.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
910pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
连续放电电流(ID)
11A
阈值电压
2.25V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
恢复时间
17 ns
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
Exempt
IRF7904PBF拓展信息
Infineon Technologies
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