AO4486备选型号: IRF7452PBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC16 Weeks8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装82.7V @ 250μA3.1W Ta2010Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)Single增强型MOSFET3.1WN-Channel79m Ω @ 3A, 10V942pF @ 50V20nC @ 10V100V±20V4.2A20VROHS3 Compliant-----------------------------
- MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC39 Weeks8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装85.5V @ 250μA4.5A Ta2001Tube-55°C~150°C TJDiscontinued1 (Unlimited)-增强型MOSFET2.5WN-Channel60m Ω @ 2.7A, 10V930pF @ 25V50nC @ 10V-±30V4.5A30VROHS3 CompliantSILICONHEXFET®e38EAR9960mOhmMatte Tin (Sn)100VDUAL鸥翼4.5ASingle9.5 nsSWITCHING11ns13 ns5.5V100V36A100V200 mJ120 ns5.5 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7490TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC | 对比 |
| FDS3692 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | IRF7452PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 对比 |



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