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AO6404备选型号: BSL802SNL6327HTSA1
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- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
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- ECCN 代码
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- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
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- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 8.6A 6-TSOP18 Weeks表面贴装表面贴装SC-74, SOT-45768.6A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)2WN-Channel17m Ω @ 8.5A, 10V1810pF @ 10V17.9nC @ 4.5V20V±12V8.6A12VROHS3 Compliant-----------------
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-667.5A Ta750mV @ 30μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)2WN-Channel22m Ω @ 7.5A, 2.5V1347pF @ 10V4.7nC @ 2.5V20V±8V7.5A8V符合RoHS标准SILICONOptiMOS™yes6EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET10 ns30ns5.5 ns0.022Ohm20V77 pF无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSL802SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |
 | NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | 对比 |
| NTGS3441BT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP | 对比 |
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