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AOB2500L备选型号: FDB075N15A-F085
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 150V 11.5A TO26318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3.5V @ 250μA11.5A Ta 152A Tc2011-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFETN-Channel6.2m Ω @ 20A, 10V6460pF @ 75V136nC @ 10V150V±20V152AROHS3 Compliant------------------------
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK33 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB4V @ 250μA110A Tc2013-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)-增强型MOSFETN-Channel7.5m Ω @ 80A, 10V5595pF @ 75V95nC @ 10V-±20V110AROHS3 Compliant31.31247gSILICONAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yes2Tin (Sn)鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21SingleDRAIN33 nsSWITCHING46ns25 ns4V0.0075Ohm150V502 mJnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 | 对比 |
| FDB075N15A-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 对比 |
| IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 对比 |
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