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AOB27S60L备选型号: FQB6N60TM
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- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 600V 27A TO26316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB27A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)aMOS™2011不用于新设计1 (Unlimited)Single增强型MOSFET357WN-Channel160m Ω @ 13.5A, 10V1294pF @ 100V26nC @ 10V600V±30V27A30VROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB6.2A Tc5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000Obsolete1 (Unlimited)--3.13WN-Channel1.5Ohm @ 3.1A, 10V1000pF @ 25V25nC @ 10V600V±30V6.2A30V符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)150°C-55°C600V6.2ASingle70ns45 ns600V1nF1.5Ohm1.5 Ω- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB6N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | 对比 |
| FDB20N50F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK | 对比 |
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