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AOB27S60L备选型号: STB28N60M2
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- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 600V 27A TO26316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB27A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)aMOS™2011不用于新设计1 (Unlimited)Single增强型MOSFET357WN-Channel160m Ω @ 13.5A, 10V1294pF @ 100V26nC @ 10V600V±30V27A30VROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET POWER MOSFET26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB14V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus-活跃1 (Unlimited)-增强型MOSFET-N-Channel150m Ω @ 11A, 10V1440pF @ 100V36nC @ 10V-±25V22A25VROHS3 Compliant无铅Tin3.949996gSILICON2EAR99鸥翼STB28NR-PSSO-G21SingleDRAIN14.5 nsSWITCHING7.2ns8 ns600V88A350 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB6N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | 对比 |
| FDB20N50F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK | 对比 |
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