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AOB286L备选型号: IPB80N08S406ATMA1
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- 包装
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- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 13A TO26318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB13A Ta 70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFETN-Channel5.7m Ω @ 20A, 10V3.3V @ 250μA3142pF @ 40V63nC @ 10V80V±20V70AROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-314 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel5.5m Ω @ 80A, 10V4V @ 90μA4800pF @ 25V70nC @ 10V-±20V80AROHS3 CompliantSILICONAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™e3yes2Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2DRAIN无卤素80V0.0047Ohm320A270 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH145N8F7-2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 90A | 对比 |
| IPB80N08S406ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | 对比 |
| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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