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AOB409L备选型号: NTB22N06T4
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- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R18 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB5A Ta 31.5A Tc2.4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)83.3WP-Channel38m Ω @ 20A, 10V2953pF @ 30V52nC @ 10V60V±20V31.5A20VROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB22A Ta4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004Obsolete1 (Unlimited)-N-Channel60m Ω @ 11A, 10V700pF @ 25V32nC @ 10V-±20V22A-Non-RoHS Compliant3SILICONe02EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)60VSINGLE鸥翼22AR-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING39ns0.06Ohm66A72 mJnot_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB27N06LT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3 | 对比 |
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R | 对比 |
| NTB22N06T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 | 对比 |
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