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AOB416备选型号: HUF76639S3S
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB6.2A Ta 45A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SDMOS™2009Obsolete1 (Unlimited)150WN-Channel36m Ω @ 20A, 10V1450pF @ 50V24nC @ 10V100V±25V45A25V符合RoHS标准-----------------------
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB51A Tc3V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002Obsolete1 (Unlimited)180WN-Channel26m Ω @ 51A, 10V2400pF @ 25V86nC @ 10V-±16V51A16V符合RoHS标准SILICONe3yes2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95100V鸥翼未说明50A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING55ns110 ns0.027Ohm100V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF76639S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | 对比 |
 | IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| HUFA76639S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | 对比 |
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