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AOB5B65M1备选型号: IRGS4B60KD1PBF
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- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
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- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
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- 无铅
IGBT 650V 5A TO26318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON650V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Alpha IGBT™2011yes活跃1 (Unlimited)283WSINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard83W电源控制N-CHANNEL1.98V10A195 ns650V21 ns1.98V @ 15V, 5A161 ns14nC15A8.5ns/106ns80μJ (on), 70μJ (off)ROHS3 Compliant---------------------
IGBT 600V 11A 63W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V-55°C~175°C TJTube-2003-Obsolete1 (Unlimited)263W-鸥翼26030R-PSSO-G2-COLLECTORStandard-MOTOR CONTROLN-CHANNEL2.5V11A93 ns-40 ns2.5V @ 15V, 4A199 ns12nC22A22ns/100ns73μJ (on), 47μJ (off)符合RoHS标准32.5Ve3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V11AIRGS4B60KD1PBFSingle63W23nsNPT20V5.5V89ns4.699mm10.668mm9.652mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS4B60KD1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 11A 63W D2PAK | 对比 |
| SKB04N60ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 9.4A 50W TO263-3 | 对比 |
 | STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | 对比 |
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