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首页 全部分类 AOD256 vs IPD530N15N3GATMA1

AOD256备选型号: IPD530N15N3GATMA1

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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOD256
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 150V 19A TO252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3A Ta 19A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Digi-Reel®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    85m Ω @ 10A, 10V
    2.8V @ 250μA
    1165pF @ 75V
    22nC @ 10V
    150V
    ±20V
    19A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IPD530N15N3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    21A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    53m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 35μA
    887pF @ 75V
    12nC @ 10V
    -
    ±20V
    21A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    OptiMOS™
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    150V
    84A
    60 mJ
    含铅
  • 添加型号
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FDD2582 FDD2582 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R 对比