AOD2610备选型号: FDD20AN06A0
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- 安装类型
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-CH 60V 10A TO25213 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6310A Ta 46A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)N-Channel10.7m Ω @ 20A, 10V2.5V @ 250μA2410pF @ 30V25nC @ 10V60V±20V46A20V无符合RoHS标准无铅-----------
- MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638A Ta 45A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)N-Channel20m Ω @ 45A, 10V4V @ 250μA950pF @ 25V19nC @ 10V-±20V45A20V-符合RoHS标准无铅260.37mgPowerTrench®yes47mOhm60V45ASingle90W98ns33 ns60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD127N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | FDD20AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK | 对比 |




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