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首页 全部分类 AOD2N60A vs FQD3N50CTM

AOD2N60A备选型号: FQD3N50CTM

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 引脚数
  • 系列
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
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  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOD2N60A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 600V 2A
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2A Tc
    -50°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    4.7 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 250μA
    295pF @ 25V
    11nC @ 10V
    600V
    ±30V
    2A
    2A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD3N50CTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2.5 Ω @ 1.25A, 10V
    4V @ 250μA
    365pF @ 25V
    13nC @ 10V
    -
    ±30V
    2.5A
    -
    符合RoHS标准
    3
    QFET®
    Single
    35W
    10 ns
    25ns
    25 ns
    30V
    500V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
  • 添加型号
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