AOD4185备选型号: IPD50N04S308ATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
- MOSFET P-CH 40V 40A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5WDRAINP-Channel15m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA2550pF @ 20V55nC @ 10V40V±20V40A20V50A40VROHS3 Compliant--------------
- Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-25226 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2007不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼-R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET68WDRAINN-Channel7.5m Ω @ 50A, 10V4V @ 40μA2350pF @ 25V35nC @ 10V-±20V50A20V--ROHS3 CompliantOptiMOS™e3Tin (Sn)未说明not_compliant未说明11 ns无卤素7ns6 ns40V0.0075Ohm200A含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4815NHT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK | 对比 | |
![]() | IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD088N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | 对比 |



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