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首页 全部分类 AOD442 vs NTD20N06T4

AOD442备选型号: NTD20N06T4

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  • 终止次数
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  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOD442
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    7A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 20A, 10V
    2.7V @ 250μA
    2300pF @ 30V
    68nC @ 10V
    60V
    ±20V
    37A
    20V
    0.025Ohm
    60A
    60V
    45 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD20N06T4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1015pF @ 25V
    30nC @ 10V
    -
    ±20V
    20A
    20V
    0.046Ohm
    60A
    -
    170 mJ
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    e0
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    8541.29.00.95
    60V
    240
    not_compliant
    20A
    30
    3
    不合格
    Single
    60.5ns
    37.1 ns
    60V
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