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首页 全部分类 AOD514 vs IRLR8721TRPBF

AOD514备选型号: IRLR8721TRPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • RoHS状态
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  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOD514
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 30V 17A TO252
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    17A Ta 46A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    6.5m Ω @ 20A, 10V
    2.6V @ 250μA
    951pF @ 15V
    22.5nC @ 10V
    30V
    ±20V
    54A
    46A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8721TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    8.4m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1030pF @ 15V
    13nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    65A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    2
    EAR99
    8.4MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    65W
    DRAIN
    8.8 ns
    SWITCHING
    30ns
    6.5 ns
    TO-252AA
    20V
    30V
    260A
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
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