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AOD514备选型号: NTD4959NHT4G
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 17A TO25216 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63317A Ta 46A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011不用于新设计1 (Unlimited)未说明未说明SingleN-Channel6.5m Ω @ 20A, 10V2.6V @ 250μA951pF @ 15V22.5nC @ 10V30V±20V54A46AROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6339A Ta 58A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009Obsolete1 (Unlimited)未说明未说明-N-Channel9m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2155pF @ 12V44nC @ 11.5V-±20V58A9A符合RoHS标准-SILICONe32EAR99Tin (Sn)鸥翼3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2WDRAINSWITCHING20V0.0125Ohm30V112.5 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| NTD4959NHT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA | 对比 |
| IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-KANAL POWER MOS | 对比 |
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