AOD7S65备选型号: STD11N50M2
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 无铅
- MOSFET N-CH 650V 7A TO25216 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-637A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)aMOS™2011不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel650m Ω @ 3.5A, 10V4V @ 250μA434pF @ 100V9.2nC @ 10V650V±30V7AROHS3 Compliant----
- MOSFET N-CH 500V 8A DPAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus-活跃1 (Unlimited)N-Channel530m Ω @ 4A, 10V4V @ 250μA395pF @ 100V12nC @ 10V500V±25V8AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR99STD11无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD11N50M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 8A DPAK | 对比 |
![]() | IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2 | 对比 |





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