AOD9T40P备选型号: IPD50R650CEAUMA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
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- 通道数量
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- 功率耗散
- 箱体转运
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- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- MOSFET N-CH16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63TO-252, (D-Pak)83W Tc5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel800mOhm @ 4A, 10V530pF @ 100V18nC @ 10V400V±30V6.6A530pF800 mΩ符合RoHS标准------------------------
- CONSUMER18 Weeks表面贴装-TO-252-3-1--Tape & Reel (TR)2008活跃3 (168 Hours)150°C-55°C----500V-6.1A342pF650 mΩROHS3 Compliant33.949996gyes2EAR9947W鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFET47WDRAIN6 nsSWITCHING5nsN-CHANNEL13 ns20V500VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR650mOhm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| R4008ANDTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT | 对比 | |
| IPD50R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3 | CONSUMER | 对比 | |
![]() | STD9N40M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 400V 6A DPAK | 对比 |



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