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AON2290备选型号: DMP2160UFDB-7
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- 操作模式
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B18 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad64.5A Ta-55°C~150°C TJDigi-Reel®2011活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFET2.8WN-Channel72m Ω @ 4.5A, 10V2.8V @ 250μA415pF @ 50V12nC @ 10V100V±20V4.5A20VROHS3 Compliant---------------------------
MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN6 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad62-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012Obsolete1 (Unlimited)-增强型MOSFET1.4W2 P-Channel (Dual)70m Ω @ 2.8A, 4.5V900mV @ 250μA536pF @ 10V6.5nC @ 4.5V20V-3.8A12VROHS3 CompliantSILICONe4yes6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY1.4W260406Dual11.51 nsSWITCHING12.09ns12.09 ns0.07Ohm-20V13AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门750μm2mm2mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | 对比 |
 | DMP2069UFY4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET MOSFET P-CHAN. | 对比 |
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