AON6411备选型号: NTLGF3501NT2G

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSMD, Flat Leads
    47A Ta 85A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    2.1m Ω @ 20A, 10V
    1.3V @ 250μA
    10290pF @ 10V
    330nC @ 10V
    20V
    ±12V
    85A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
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  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    3 (168 Hours)
    N-Channel
    90m Ω @ 3.4A, 4.5V
    2V @ 250μA
    275pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    3.4A
    ROHS3 Compliant
    -
    6
    SILICON
    FETKY™
    e3
    yes
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    C 弯管
    260
    40
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.74W
    4.8 ns
    SWITCHING
    13.6ns
    13.6 ns
    20V
    2.8A
    0.09Ohm
    20V
    13.8A
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