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AON6452备选型号: DMN4020LFDE-7
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- 零件状态
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- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 100V 6.5A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads86.5A Ta 26A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SDMOS™2009活跃1 (Unlimited)35WN-Channel25m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA2200pF @ 50V34nC @ 10V100V±25V26A25VROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 40V 6-UDFN22 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad68A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2013活跃1 (Unlimited)-N-Channel20m Ω @ 8A, 10V2.4V @ 250μA1060pF @ 20V19.1nC @ 10V-±20V8A20VROHS3 Compliante4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1Single5.3 ns7.1ns4.8 ns40V580μm2.05mm2.05mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | 对比 |
 | NVMFS5C450NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL | 对比 |
 | DMG8601UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerUDFN | Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8 | 对比 |
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