AON6482备选型号: TPCP8003-H(TE85L,F
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads5.5A Ta 28A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)N-Channel37m Ω @ 10A, 10V2.7V @ 250μA2000pF @ 50V44nC @ 10V100V±20V28AROHS3 Compliant---------------
- Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 8-Pin PS T/R-表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead2.2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009Obsolete1 (Unlimited)N-Channel180m Ω @ 1.1A, 10V2.3V @ 1mA360pF @ 10V7.5nC @ 10V-±20V2.2A符合RoHS标准8U-MOSIII-HEAR99Single增强型MOSFET1.68W7ns3 ns20V100V800μm2.9mm2.4mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RAF040P01TCL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3 | 对比 | |
| TPCP8003-H(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 8-Pin PS T/R | 对比 |


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