AON6482备选型号: TPCP8003-H(TE85L,F

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSMD, Flat Leads
    5.5A Ta 28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    37m Ω @ 10A, 10V
    2.7V @ 250μA
    2000pF @ 50V
    44nC @ 10V
    100V
    ±20V
    28A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 8-Pin PS T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    2.2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    180m Ω @ 1.1A, 10V
    2.3V @ 1mA
    360pF @ 10V
    7.5nC @ 10V
    -
    ±20V
    2.2A
    符合RoHS标准
    8
    U-MOSIII-H
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    1.68W
    7ns
    3 ns
    20V
    100V
    800μm
    2.9mm
    2.4mm
    无铅
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