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AON6512备选型号: DMG5802LFX-7
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads8DFN5x6_8L_EP1_P54A Ta 150A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011不用于新设计1 (Unlimited)83WN-Channel1.7m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA3430pF @ 15V64nC @ 10V30V±20V150A20VROHS3 Compliant无铅--------------------------
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN16 Weeks表面贴装表面贴装6-VFDFN Exposed Pad6-32.18 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)980mW2 N-Channel (Dual) Common Drain15m Ω @ 6.5A, 4.5V1.5V @ 250μA1066.4pF @ 15V31.3nC @ 10V24V-6.5A12VROHS3 Compliant无铅SILICONe4yes6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY980mWFLAT260406增强型MOSFET3.69 nsSWITCHING13.43ns22.45 ns0.015Ohm24VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门2.1mm5.1mm800μm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | 对比 |
 | DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | 对比 |
| DMP2039UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN | 对比 |
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