AON6512备选型号: DMN65D8LFB-7B
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads8DFN5x6_8L_EP1_P54A Ta 150A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011不用于新设计1 (Unlimited)83WN-Channel1.7m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA3430pF @ 15V64nC @ 10V30V±20V150A20VROHS3 Compliant无铅------------------------
- MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN23 Weeks表面贴装表面贴装3-UFDFN3-260mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)840mWN-Channel3 Ω @ 115mA, 10V2V @ 250μA25pF @ 25V--±20V400mA20VROHS3 Compliant无铅SILICONe4yes3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYBOTTOM2604031Single增强型MOSFETDRAIN3.27 nsSWITCHING3.15ns6.29 ns0.26A4Ohm60V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | 对比 |
![]() | DMG5802LFX-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN | 对比 |
![]() | DMP2039UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN | 对比 |





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