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首页 全部分类 AON6518 vs BSC0500NSIATMA1

AON6518备选型号: BSC0500NSIATMA1

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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AON6518
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSMD, Flat Leads
    8-DFN (5x6)
    48A Ta 85A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    AlphaMOS
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    1.75mOhm @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3700pF @ 15V
    75nC @ 10V
    30V
    ±20V
    85A
    3.7nF
    1.75 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC0500NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    35A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    1.3m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    3300pF @ 15V
    52nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    26 Weeks
    8
    SILICON
    yes
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    30V
    35A
    0.0017Ohm
    400A
    40 mJ
    含铅
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