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首页 全部分类 AON6992 vs BSZ0506NSATMA1

AON6992备选型号: BSZ0506NSATMA1

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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AON6992
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    19A 31A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3.1W
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5.2m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    820pF @ 15V
    13nC @ 10V
    30V
    31A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ0506NSATMA1
    Infineon Technologies
    In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    15A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    N-Channel
    4.4m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    950pF @ 15V
    15nC @ 10V
    -
    40A
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    OptiMOS™
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    2.4ns
    ±20V
    20V
    30V
    15A
    0.0053Ohm
    160A
    20 mJ
    含铅
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