AON7254备选型号: FDD2582
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 150V 17A 8DFN18 Weeks8-PowerWDFN表面贴装表面贴装SILICON4.1W Ta 39W TcAlphaMOSTape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ2011yes活跃1 (Unlimited)5DUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING54m Ω @ 5A, 10V2.7V @ 250μA675pF @ 75V20nC @ 10V150V±20V17A0.054Ohm30A150V34 mJROHS3 Compliant无铅-----------------------
- Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R8 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装SILICON3.7A Ta 21A TcPowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ2002yes活跃1 (Unlimited)2-鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING66m Ω @ 7A, 10V4V @ 250μA1295pF @ 25V25nC @ 10V-±20V21A---59 mJROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)Tin3260.37mge3EAR9966mOhm150V21ASingle95W8 ns19ns19 ns4VTO-252AA20V150V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 | 对比 |
| FDMS86263P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56 | 对比 | |
![]() | FDD2582 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |




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