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AON7254备选型号: IPD530N15N3GATMA1
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- ECCN 代码
- Reach合规守则
- 无卤素
- 最大双电源电压
MOSFET N-CH 150V 17A 8DFN18 Weeks8-PowerWDFN表面贴装表面贴装SILICON4.1W Ta 39W TcAlphaMOSTape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ2011yes活跃1 (Unlimited)5DUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING54m Ω @ 5A, 10V2.7V @ 250μA675pF @ 75V20nC @ 10V150V±20V17A0.054Ohm30A150V34 mJROHS3 Compliant无铅-----
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-25218 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装SILICON21A TcOptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ2008-活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING53m Ω @ 18A, 10V4V @ 35μA887pF @ 75V12nC @ 10V-±20V21A-84A-60 mJROHS3 Compliant含铅3EAR99not_compliant无卤素150V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 | 对比 |
 | FDMS86263P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56 | 对比 |
 | FDD2582 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
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