您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 AON7292 vs IRF6645TRPBF

AON7292备选型号: IRF6645TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AON7292
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 100V 23A 8DFN
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    SILICON
    9A Ta 23A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    AlphaMOS
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 9A, 10V
    2.6V @ 250μA
    1170pF @ 50V
    25nC @ 10V
    100V
    ±20V
    23A
    0.024Ohm
    45A
    100V
    10 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    BOTTOM
    -
    -
    -
    -
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    5.7mA
    0.035Ohm
    45A
    -
    29 mJ
    ROHS3 Compliant
    Tin
    7
    100V
    5.7A
    42W
    9.2 ns
    5ns
    5.1 ns
    20V
    100V
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMTH10H030LK3-13 DMTH10H030LK3-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD MOSFET NCH 100V 28A TO252 对比
FDMC86102L FDMC86102L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 对比
FDD86381-F085 FDD86381-F085 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 80V 25A DPAK 对比