Diodes Incorporated DMTH10H030LK3-13
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DMTH10H030LK3-13
671-DMTH10H030LK3-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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MOSFET NCH 100V 28A TO252
--最小包装量--
DMTH10H030LK3-13详情
Diodes Incorporated DMTH10H030LK3-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
27 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1871pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33.3nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
28A
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
85 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMTH10H030LK3-13拓展信息
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