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AON7296备选型号: DMN6070SFCL-7
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- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET N CH 100V 5A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON5A Ta 12.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)5DUALFLAT未说明未说明S-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING66m Ω @ 5A, 10V2.8V @ 250μA415pF @ 50V12nC @ 10V100V±20V12.5A0.066Ohm25A100VROHS3 Compliant-------------
MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN23 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN6SILICON3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)3DUAL无铅--S-PDSO-N3-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING85m Ω @ 1.5A, 10V3V @ 250μA606pF @ 20V12.3nC @ 10V-±20V3A0.085Ohm--ROHS3 Compliante4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DMN60701Single3.5 ns4.1ns11 ns20V3A60V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | 对比 |
 | DMP2069UFY4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET MOSFET P-CHAN. | 对比 |
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