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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.570556
10
¥4.311848
100
¥4.067781
500
¥3.837528
1000
¥3.620312
Diodes Incorporated DMN6070SFCL-7
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- 对比
DMN6070SFCL-7
671-DMN6070SFCL-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-PowerUFDFN
大陆
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MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN6070SFCL-7详情
Diodes Incorporated DMN6070SFCL-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-PowerUFDFN
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
600mW Ta
Turn Off Delay Time
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
基本部件号
DMN6070
JESD-30代码
S-PDSO-N3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
85m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
606pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.3nC @ 10V
上升时间
4.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.085Ohm
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN6070SFCL-7拓展信息
Diodes Incorporated
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