AON7400A备选型号: ECH8693R-TL-W
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON15A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT未说明未说明8S-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET25WDRAINN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 20A, 10V2.5V @ 250μA1380pF @ 15V24nC @ 10V30V±20V40A20V30V36 mJROHS3 Compliant---------------
- Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R17 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2015yes活跃1 (Unlimited)8EAR99----8--增强型MOSFET--2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING7m Ω @ 5A, 4.5V--13nC @ 4.5V24V-14A12.5V--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tine61.4W2545 ns525ns22.2 μs0.0091Ohm24V60AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ECH8693R-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R | 对比 | |
| RJK005N03T146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 | 对比 | |
| MCH6342-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6 | 对比 |


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