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AON7405备选型号: IRFHM8329TRPBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
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- 系列
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- 端子位置
- 终端形式
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- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 雪崩能量等级（Eas）
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- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 25A 8DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN825A Ta 50A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011最后一次购买1 (Unlimited)Single增强型MOSFETP-Channel6.2m Ω @ 20A, 10V2.8V @ 250μA2940pF @ 15V51nC @ 10V30V±25V50AROHS3 Compliant---------------------
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN39 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN816A Ta 57A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013不用于新设计1 (Unlimited)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel6.1m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 25μA1710pF @ 10V26nC @ 10V-±20V16AROHS3 CompliantSILICONHEXFET®5EAR99DUALFLATS-PDSO-F52.6WDRAIN14 nsSWITCHING74ns14 ns1.7V20V30V230A43 mJ无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |
 | BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | 对比 |
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
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