AON7421备选型号: DMG5802LFX-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON30A Ta 50A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明S-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET83WDRAINP-ChannelSWITCHING4.6m Ω @ 20A, 10V1.2V @ 250μA4550pF @ 10V114nC @ 10V20V±12V50A12V0.009Ohm200A20VROHS3 Compliant----------------
- MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN16 Weeks表面贴装表面贴装6-VFDFN Exposed Pad6SILICON32.18 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-FLAT260-40--增强型MOSFET980mW-2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING15m Ω @ 6.5A, 4.5V1.5V @ 250μA1066.4pF @ 15V31.3nC @ 10V24V-6.5A12V0.015Ohm--ROHS3 CompliantyesHIGH RELIABILITY980mW63.69 ns13.43ns22.45 ns24VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门2.1mm5.1mm800μm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | 对比 |
![]() | DMP2039UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN | 对比 |




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