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首页 全部分类 AON7421 vs DMN1019UFDE-7

AON7421备选型号: DMN1019UFDE-7

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AON7421
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    1.2V @ 250μA
    4550pF @ 10V
    114nC @ 10V
    20V
    ±12V
    50A
    12V
    0.009Ohm
    200A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1019UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    260
    -
    40
    R-PDSO-N3
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 9.7A, 4.5V
    800mV @ 250μA
    2425pF @ 10V
    50.6nC @ 8V
    12V
    ±8V
    11A
    8V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Gold
    yes
    HIGH RELIABILITY
    1
    Single
    7.6 ns
    22.2ns
    16.8 ns
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无SVHC
    无
    无铅
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